据南京市政府官方消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历经4年自主研发，成功突破沟槽型SiC MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型SiC MOSFET芯片性能“天花板”，实现我国在该领域首次突破。SiC是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场，高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。SiC MOS主要分为平面和沟槽两种结构，目前业内应用以平面SiC MOSFET芯片为主。平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应

9月3日18 点（北京时间 9 月 4 日凌晨 0 点），英特尔在德国柏林隆重举行了全球新品发布会，正式推出了专为轻薄本设计的英特尔酷睿Ultra 200V系列处理器。产品今日开启预购，9 月 24 日起通过全球 30 多家零售商发售。英特尔宣布将会和包括宏碁、华硕、戴尔、惠普、联想、LG、微星和三星在内的超过 20 家公司合作，推出超过 80 款搭载酷睿 Ultra 200V 系列处理器的产品。英特尔官方表示酷睿Ultra 200V系列处理器首次搭载了全新的Xe2图形微架构，平均性能提升超过30%。该系列处理器内置锐炫核显最多配备8个Xe核心和8个光线追踪单元，支持外

据路透社今日报道，美国芯片制造巨头英特尔的代工业务在与博通的测试失败后遭遇挫折，这对英特尔的扭转计划造成了不小的打击。消息人士称，博通进行的测试包括将硅片送入英特尔最先进的制程工艺Intel 18A（折合1.8nm）。博通上个月从英特尔收到硅片。在工程师和高管研究了测试结果后，博通得出结论，该制程工艺尚不适合大批量生产。路透社无法确定博通与英特尔目前的关系，也无法确定博通是否已决定放弃这项潜在的制造交易。另据此前报道，英特尔CEO帕特·基辛格及其他高管将于9月中旬向英特尔董事会提交一份计划，可能涉及剥离其可编程业

消息人士称，英特尔已部分暂停在马来西亚槟城新芯片封装和测试项目，该项目是三年前宣布的70亿美元（约合人民币500亿元）投资的一部分。此举是在现金流问题导致英特尔暂停派息并开始在全球裁员的情况下做出的。部分停工可能只会影响英特尔的新工厂，而不会影响其现有业务。英特尔拥有约14000名员工，还将根据全球计划裁员约15%，这意味着马来西亚超过2000名英特尔员工面临失业的风险。该芯片制造商称，大部分裁员将在2024年底前完成。槟城的先进芯片工厂于2021年宣布，当时英特尔承诺在10年内投资70亿美元。就在三周前，马来西亚槟城首席部

很长时间以来，我们已经习惯了苹果在手机领域的霸主地位，从3G时代到4G时代，它也一直在引领着整个市场的发展。但如今5G的旋风愈刮愈烈，苹果关于5G的新闻却大多不是什么好消息，很多果粉不禁要问，苹果的5GiPhone何时能够到来？有媒体称，苹果寻求三星和高通提供5G基带芯片，惨遭拒绝，华为愿开放销售巴龙 5000，他们能否达成合作？  之前有传闻，苹果将会在明年推出支持5G格式的手机，但最近有消息显示，苹果很有可能无法在2020年完成这个心愿。消息显示，苹果的5G iPhone最早也要等到2021年才会与大家见面。不过到那时候，其他品牌的5G

近日，前紫光展锐CEO曾学忠离开紫光之后创立了一家5G中高频器件国家级制造业创新中心依托公司-深圳市汇芯通信技术有限公司（以下简称“汇芯通信”）。如今，这家5G中高频器件国家级制造业创新中心正式揭开面纱，汇芯通信也出现在大众视野。在移动通信系统中，中高频器件是指工作频率在3-6GHz（中频）和6GHz以上（高频）的射频器件，主要包含滤波器、功率放大器、天线、射频开关等。随着移动通信技术的不断升级发展，中高频器件的重要性日益凸显。特别是目前新兴的5G通信，它采用了多项新型关键技术，对中高频器件的要求和依赖性进一步提升

从草图到产品，“半导体器件在制造前后往往面临诸多危害，这将导致它们过早失效”。“芯片的工作环境恶劣，半导体行业已经学会了如何应对这些挑战。但随着制造尺寸越来越小或采用了新的封装技术，新的问题随之出现。”设计、制造、静电处理、关联问题、操作……诸多细节都是导致芯片故障的元凶，本文就将具体介绍导致芯片之死的五大原因。以下为译文：半导体器件包含数亿个晶体管，它们在极端温度和恶劣环境下工作，因此，许多器件未能如预期那样工作或寿命有限，这并不奇怪。有些器件永远无法走出实验室，还有许多器件则死于车间。人们希

全球半导体收入Top10，三星虽占鳌头，但潜力股另有其人