杰平方半导体简介

中国半导体领军人物

俎永熙博士（Dr. Robert Tsu），美国伊利诺伊大学半导体材料科学博士。现任杰平方半导体（上海）有限公司董事长，曾任宁德时代顾问，及青岛芯恩总经理和中芯国际研发及市场副总经理。

俎博士拥有30年集成电路工艺技术研发与成功量产的经历，是引领中国集成电路多项关键技术发展的领军人物，包括45纳米，90纳米，0.13微米和0.2微米半导体工艺整合技术，开创了中国集成电路创新型共享共有式垂直整合芯片厂（CIDM）的商务模式，对中国半导体行业的发展和提升作出了重大贡献。

俎博士曾获美国德州仪器公司杰出资深研究人员称号、上海市铜互联工艺开发奖、入选青岛西海岸新区顶尖人才以及中国台湾清华大学杰出校友。曾在广州南沙前沿科技大会、青岛国际工业互联网大会、宁德汽车半导体大会上发表主题演讲。迄今拥有45项国际专利，已在国际知名杂志和会议上发表论文20篇。

| SiC MOS管性能优势与驱动电路差异及电路设计要点

碳化硅(SiC)是一种具有卓越性能的半导体材料，是瑞典科学家Jacob Berzelus在1824年发现的。普通的碳化硅材料可用于制作电热元件硅碳棒，还可用来提高金属件的耐磨性，也可作为脱氧剂。

SiC MOS管也具有高击穿场强和高工作温度

在半导体领域，SiC材料凭借良好的热导率、较高的禁带宽度得到了业界高度重视。热导率比Si材料高意味着电流密度也较高，高禁带宽度决定了SiCMOS管也具有高击穿场强和高工作温度。SiC MOS管优点可以概括如下。

○ 高阻断电压

与应用广泛的Si材料相比，SiC的击穿场强是Si材料的10倍以上，SiC MOS管器件的阻断电压比Si MOS管器件高很多。

○ 开关速度快

SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的频率下工作。

○ 导通损耗小

由于半导体器件的导通损耗与击穿场强成反比，对于同样的功率等级考量，SiC MOS管器件的导通损耗比Si器件小很多。另外，SiC MOS管器件导通损耗对温度的依存度很小，其导通损耗随温度的变化也要小很多，所以SiC MOS管与传统Si器件之间的差别非常大。

○ 能承受更高的温度

在物理特性上，SiC晶体结构高度稳定，能带宽度可达2.2-3.3eV，这个数字几乎是Si材料的两倍以上。一般而言，SiC所能承受的温度更高，SiC MOS管所能达到的最大工作温度可到600摄氏度以上。

○ SiC MOS管器件损耗比传统器件小10倍多

通过上述介绍，在相同的功率等级下，使用SiC MOS管器件的电子系统设备BOM清单中的功率器件数量将大大减少，所采用的散热器、滤波元件的体积也缩小了很多，而系统的效率也有大幅度提升。

由于与SiMOS管有较大差别，设计SiC MOS管驱动电路也是一项挑战。相比于Si器件，SiCMOS管的寄生电容更小(大小相差超过十倍），对驱动电路的寄生参数更敏感，设计中必须足够重视。目前，已经量产的SiC MOS管的驱动电压范围为-5V~+25V，而传统的Si器件的驱动电压为-30V~+30V。

因此，SiC MOS管器件的安全阈值很小，如果电路出现一个电压尖峰很可能击穿G-S之间的氧化层，使器件损坏。另外，SiC MOS管的价格同比贵了不少，这限制了它在一般用途中的应用。

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