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SiC（碳化硅）MOSFET

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  • 商品说明

SiC（碳化硅）MOSFET

击穿电压产品型号 封装RDS(on)

(mΩ@25℃)

额定电流最高结温 车规认证
（V）（@25℃）
1200
JPM120008M4AA TO-247-4L Plus 7.5 230 175℃-
JPM120020B4AI TO-247-4L 20 104 175℃ -
JPM120040B40I TO-247-4L 30 80 175℃ -
JPM120040B4AI TO-247-4L 45 58 175℃ -
JPM120080B42I TO-247-4L 60 30 175℃ -
JPM120080B40I TO-247-4L 80 30 175℃ -


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