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SiC(碳化硅)模组

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SiC(碳化硅)模组

击穿电压产品型号封装 RDS(ON) (mΩ@25℃)额定电流(A) 最高结温世代
(V) (@25℃)
1200
JPP120200E20I E2 4.55 200 175℃ 第一代
JPP120250H30I H3 4.36 250 150℃ 第一代
JPP120375H30I H3 2.8 375 150℃ 第一代


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