IGBT模块采用沟槽结构的场截止技术（Trench Field Stop），沟槽元胞结构大大增加器件的功率密度，通过超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集电极端使用电场截止型（Field Stop）结构，从而显著降低器件的饱和导通压降（Vce（sat））和关断损耗（Eoff），对比上一代产品，器件功率损耗（导通损耗与开关损耗之和）降低了33%，配合搭载独立的等电压快速恢复二极管（FRD），适宜于各类开关应用。模块采用标准封装，产品在严酷的环境下具有稳定一致的电参数和牢固的可靠性。

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